RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Comparez
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Note globale
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
77
Autour de -221% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
1,884.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
24
Vitesse de lecture, GB/s
2,936.9
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,884.0
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
564
2462
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link