RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Comparez
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
50
Autour de 26% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
50
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2438
3277
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link