RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Comparez
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
37
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
34
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2438
3153
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link