RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Comparez
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
37
Autour de -6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
35
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2438
2571
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link