RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Comparez
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Note globale
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
38
Autour de 3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
38
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
9.3
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
6.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2438
1493
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link