RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
38
Autour de -41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.9
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
27
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
6.6
16.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1406
3929
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link