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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Note globale
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Raisons de considérer
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
43
Autour de -72% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.4
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
25
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
12.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1706
1511
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
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