RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Comparez
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Note globale
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
37
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
14900
Autour de 1.43 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
33
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
21300
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2065
2687
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link