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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Comparez
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Note globale
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Note globale
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
43
Autour de 14% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.6
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
14900
Autour de 1.72 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
43
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
11.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
25600
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2065
2615
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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