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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Comparez
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Note globale
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.6
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
46
Autour de -24% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
37
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
9.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1854
1949
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparaison des RAM
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
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