RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Comparez
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Note globale
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
43
Autour de 37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
43
Vitesse de lecture, GB/s
14.8
12.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2650
2501
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link