RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Comparez
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
44
Autour de -76% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
25
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1977
2740
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link