RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Comparez
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
44
Autour de -57% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1977
2443
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link