RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Comparez
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Note globale
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
65
Autour de -171% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
1,711.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,018.7
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,711.1
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
513
2508
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparaison des RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link