RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,978.2
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
66
Autour de -89% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
35
Vitesse de lecture, GB/s
2,929.1
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,978.2
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
511
2664
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link