RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Note globale
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
19.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,381.6
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
60
Autour de -200% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
20
Vitesse de lecture, GB/s
5,082.2
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,381.6
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
925
3404
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link