RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Comparez
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Note globale
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,381.6
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
60
Autour de -82% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
33
Vitesse de lecture, GB/s
5,082.2
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,381.6
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
925
3482
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link