RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8,883.4
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
44
Autour de -38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
14
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
32
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
2960
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link