RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8,883.4
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
44
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
14
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
36
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
2497
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link