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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
71
Autour de 38% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8,883.4
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
14
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
71
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
1650
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
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Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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