RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Comparez
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Note globale
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Note globale
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
28
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
27
Vitesse de lecture, GB/s
9.4
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1453
2893
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Comparaison des RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link