RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Comparez
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Note globale
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Note globale
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
54
Autour de -74% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
1,781.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,269.3
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,781.8
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
618
3649
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link