RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
63
Autour de -117% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
3434
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965472-006.A01LF 2GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link