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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Comparez
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Note globale
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Note globale
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
21.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
68
Autour de -84% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
1,944.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
37
Vitesse de lecture, GB/s
3,973.0
21.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,944.9
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
673
3448
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Comparaison des RAM
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Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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