RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
18.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
46
Autour de -48% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
1,852.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
31
Vitesse de lecture, GB/s
5,535.6
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,852.4
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
3672
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link