RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Note globale
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
46
Autour de -109% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
1,852.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
22
Vitesse de lecture, GB/s
5,535.6
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,852.4
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
3036
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-4G68H1P-16K-BK 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link