RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
17
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
46
Autour de -100% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
1,852.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
23
Vitesse de lecture, GB/s
5,535.6
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,852.4
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
2935
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link