RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
87
Autour de -222% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
16.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
3929
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Inmos + 256MB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link