RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
87
Autour de -129% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
38
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
19.3
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
3246
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link