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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
53
Autour de -39% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
38
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
2429
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
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Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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