RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
53
Autour de -83% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
2708
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link