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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
53
Autour de -77% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
6400
Autour de 3.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
23400
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
2709
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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