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TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Comparez
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Note globale
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.4
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
5.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
29
Vitesse de lecture, GB/s
10.5
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
5.2
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1780
2312
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB Comparaison des RAM
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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