RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
19.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
96
Autour de -200% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.3
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
32
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
16.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
3726
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link