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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
79
96
Autour de -22% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
79
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
1651
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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