RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
96
Autour de -300% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
24
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
3158
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link