RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
96
Autour de -210% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
31
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
2640
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link