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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
96
Autour de -284% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
25
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
2620
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
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Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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