RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Confronto
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
74
Intorno 65% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
12.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
74
Velocità di lettura, GB/s
12.2
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1677
1825
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB Confronto tra le RAM
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link