RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Confronto
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
40
Intorno -60% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
11.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.4
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
25
Velocità di lettura, GB/s
11.3
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1654
2346
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Kingston HP691160-H63-KEB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link