RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
94
Intorno -194% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.6
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.7
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
32
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
14.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
3393
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link