RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Confronto
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
35
Intorno 23% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.4
10.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
6.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
35
Velocità di lettura, GB/s
13.4
10.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
6.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2181
1851
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link