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A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Confronto
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
45
Intorno 33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
6.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
6.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
45
Velocità di lettura, GB/s
16.8
6.9
Velocità di scrittura, GB/s
11.5
6.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3019
1499
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
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