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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Confronto
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
20.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
56
Intorno -81% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
1,925.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
31
Velocità di lettura, GB/s
4,315.2
20.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,925.7
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
658
3649
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Confronto tra le RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
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