RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Confronto
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
52
Intorno -126% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
1,145.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
4200
Intorno 5.07 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
23
Velocità di lettura, GB/s
2,614.5
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,145.9
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
21300
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
409
2371
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link