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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Confronto
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Punteggio complessivo
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
13.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
52
Intorno -73% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.2
1,145.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
4200
Intorno 6.1 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
30
Velocità di lettura, GB/s
2,614.5
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,145.9
7.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
25600
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
409
2154
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
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