RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Confronto
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
52
Intorno -37% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
1,145.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
4200
Intorno 6.1 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
38
Velocità di lettura, GB/s
2,614.5
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,145.9
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
25600
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
409
3030
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link