RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Confronto
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
11.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
48
52
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
1,145.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
4200
Intorno 4.57 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
48
Velocità di lettura, GB/s
2,614.5
11.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,145.9
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
19200
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
409
2466
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link