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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kllisre 0000 8GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Kllisre 0000 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
Kllisre 0000 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
10.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kllisre 0000 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
49
66
Intorno -35% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kllisre 0000 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
49
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
10.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
2220
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Kllisre 0000 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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