RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
12.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
46
Intorno -28% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
2,061.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
36
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
12.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
2055
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link